<< Lista proiectelor
Detalii Proiect - 1622
Nr Contract :
11061
Titlu proiectului :
Procesarea laser a filmelor subtiri oxidice nanostructurate pentru electronica transparenta si conventionala
Acronimul proiectului :
 PROLAF
Arie tematica :
I - Tehnologia Informatiei si Comunicatii
Rezumatul proiectului :
Proiectul isi propune sa studieze transformarile structurale si fenomenele fizice, care au loc la procesarea laser in ultraviolet a filmelor subtiri oxidice nanostructurate cu aplicatii in electronica transparenta si conventionala. Se vor realiza si studia filme subtiri din oxizi de: HfO2, SiO2, ZnO, Co3O4, precum si oxizi mixti si dopati, cu proprietati electrice conductoare, semiconductoare si izolatoare, filme cu proprietati magnetice, cu aplicatii in electronica transparenta si conventionala.
Iradierea laser este o metoda neconventionala de procesare a filmelor subtiri, care permite folosirea proceselor termice si fototermice de neechilibru, induse de radiatia laser in ultraviolet, pentru obtinerea de materiale si structuri la scara micro si nanometrica cu noi proprietati electrice si optice.
Se preconizeaza obtinerea de efecte importante de dopaj cu azot in filme oxidice de ZnO realizate prin tehnologia sol-gel, pentru obtinerea de filme semiconductoare cu conductie de tip p.
Majoritatea filmelor oxidice studiate in proiect vor fi realizate prin sol-gel, metoda care permite obtinerea de filme oxidice nanostructurate cu grosime de ordinul nanometrilor, stoichiometrie controlata, reproductibilitate si uniformitate pe suprafete extinse.
Principalele date structurale vor fi obtinute prin vizualizarea sectiunii filmelor (cross section XTEM) prin microscopie electronica de transmisie. Straturile vor fi caracterizate structural prin SEM, AFM, difractie de raze X si metode spectroscopice. Filmele vor fi caracterizate prin masuratori electrice pentru evaluarea caracteristicillor lor aplicative in electronica transparenta si conventionala.
Se prelimina obtinerea de filme oxidice cu proprietati deosebite, in special in domeniul oxizilor transparenti conductori si semiconductori si a filmemlor oxidice cu proprietati high-k (HfO2) depuse pe siliciu, precum si noi date experimentale privind fenomenele de interactie a radiatiei laser cu materia.
Durata proiectului(in luni) :
36
Data inceperii :
18/09/2007
Data finalizarii :
18/09/2010
Valoarea totala a proiectului :
2050000
Valoarea finantarii de la bugetul de stat :
2000000
Directorul de proiect :
doctor Teodorescu Valentin , Serban
Adresa e-mail a directorului de proiect :
teoval@infim.ro
Institutia coordonatoare :
Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Materialelor
Parteneri (denumire institutie) :
1.INSTITUTUL NATIONAL DE CERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU FIZICA LASERILOR, PLASMEI SI RADIATIEI - INFLPR BUCURESTI
2.INSTITUTUL DE CHIMIE FIZICA ILIE MURGULESCU AL ACADEMIEI ROMANE
3.SC Apel Laser SRL
Pagina web a proiectului :
http://www.infim.ro/~lab190/old_page/Proiecte/Prolaf/web-page_ro/PROLAF_ro_files/slide0001.htm



(c) 2007 cnmp