<< Lista proiectelor
Detalii Proiect -
Cod Proiect
3162
Nr Contract :
12112
Titlu proiectului :
Dispozitive electronice transparente realizate cu filme subtiri obtinute prin tehnologia PED
Acronimul proiectului :
 TED
Arie tematica :
1 - Tehnologia informatiei si comunicatii
Rezumatul proiectului :
Proiectul isi propune realizarea de dispozitive electronice transparente cu filme subtiri obtinute din oxizi transparenti cu tehnologia de depunere cu fascicul pulsat de electroni (PED). Spre deosebire de depunerea pulsata laser (PLD), in care pentru ablatia unui material tinta se foloseste un fascicul laser pulsat, in tehnologia PED ablatia materialului tinta se face cu un fascicul pulsat si intens de electroni. Tehnologia PED dezvoltata de echipa coordonatoare permite depunerea de filme subtiri transparente cu o buna morfologie de suprafata si o stoichiometre neschimbata fata de cea a materialului tinta, conditii absolut necesare pentru obtinerea de dispozitive electronice transparente performante.Oxizii conductori transparenti (TCO) au doua proprietati fizice aparent contradictorii: transmisie optica ridicata si conductivitate electrica ridicata. Dificultatea ca aceste conditii sa fie indeplinite simultan impune explorarea unei clase largi de oxizi cu compozitii complexe.Se vor investiga proprietatile filmelor subtiri transparente depuse: stoichiometrie, morfologie a suprafetei, structura, transmisie optica, conductivitate, proprietati de transport etc. in scopul selectarii materialelor celor mai performante pentru realizarea de dispozitive electronice avand caracteristicile cerute de aplicatii in electronica transparenta.In cadrul proiectului se vor realiza doua tipuri de dispozitive electronice transparente: tranzistori cu filme subtiri (transparent thin film transistors TTFT) si jonctiuni p-n (diode) cu filme subtiri.Tranzistorii cu efect de camp cu filme subtiri sunt esenta electronicii transparente. Mobilitatea purtatorilor in canal este cel mai important parametru electric in caracterizarea performantelor TTFT, din punct de vedere al capabilitatilor fundamentale ale unui semiconductor. Astfel, atentia se va indrepta in primul rand asupra materialului canalului. De asemenea se vor testa cele mai potrivite solutii si materiale pentru realizarea izolatorului de poarta, in stransa legatura cu materialul canalului, deoarece performantele TTFT-ului depind in foarte mare masura de calitatea interfetei intre acestea. In consecinta, este necesara o foarte bune morfologie de suprafata a filmelor subtiri.Pentru realizarea jonctiunii p-n, se va acorda o atentie deosebita depunerii de filme subtiri transparente din oxizi cu conductie de tip p, care constituie unul din obiectivele dificile ale proiectului.
Durata proiectului(in luni) :
36
Data inceperii :
1/10/2008
Data finalizarii :
30/09/2011
Valoarea totala a proiectului :
2000000
Valoarea finantarii de la bugetul de stat :
2000000
Directorul de proiect :
Dr. Mandache Nicolae Bogdan
Adresa e-mail a directorului de proiect :
mandache@infim.ro
Institutia coordonatoare :
Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Laserilor, Plasmei si Radiatiei
Parteneri (denumire institutie) :
1.Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Laserilor, Plasmei si Radiatiei
2.Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Materialelor Bucuresti
3.Universitatea Bucuresti
Pagina web a proiectului :
http://www.infim.ro/~mandache



(c) 2008 cnmp